• 概要

手動HMDS設(shè)備。有助于提高光刻膠對基板的粘著性。

• 特點

1）基板尺寸最大為φ150mm，是小型的HMDS處理裝置。

2）邊加熱晶圓邊將HMDS氣體導(dǎo)入處理室進行處理。

3）可控制處理溫度、HMDS導(dǎo)入時間。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圓（4、6英寸）

2）搭載載臺：HMDS處理室

3）搬送方式：晶圓放置于HMDS處理室→加熱晶圓→暴露在HMDS氣體中→處理室內(nèi)更換為氮氣→取出晶圓

4）HMDS處理室および浸漬裝置

? ?不銹鋼腔體

? ?加熱板：APS-300

? ?浸漬裝置：LMHP-300/圧力調(diào)整機構(gòu)/浸漬時間搭載

• 概要

對光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的設(shè)備。

• 特點

1）搭載基板尺寸最大為φ150mm的鍍膜模塊，節(jié)省空間

2）無分立單元，可高精度涂布。

3）旋轉(zhuǎn)程序可設(shè)為2步，適合多品種樣品制作。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圓（4、6英寸）

2）搭載載臺：旋轉(zhuǎn)涂布杯

3）搬送方式：晶圓置于卡盤上→真空吸附→取下中心環(huán)部件→啟動程序 手動回收基板

4）旋轉(zhuǎn)杯（SUS製）：晶圓支撐方式：旋轉(zhuǎn)卡盤 真空吸附

? ?旋轉(zhuǎn)：MAX5000rpm（無負荷狀態(tài)），MIN100rpm

5）附帶SpinCalculator軟件

• 概要

對光刻膠旋轉(zhuǎn)涂膠的設(shè)備。

• 特點

1）搭載基板尺寸最大為φ100mm的鍍膜模塊，節(jié)省空間

2）無分立單元，可高精度涂布。

3）旋轉(zhuǎn)程序可設(shè)為2步，適合多品種樣品制作。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ100mm Si晶圓（4英寸）

2）搭載載臺：旋轉(zhuǎn)涂布杯

3）搬送方式：晶圓置于卡盤上→真空吸附→取下中心環(huán)部件→啟動程序 手動回收基板

4）旋轉(zhuǎn)杯（SUS製）：晶圓支撐方式：旋轉(zhuǎn)卡盤 真空吸附

? ?旋轉(zhuǎn)：MAX5000rpm（無負荷狀態(tài)），MIN100rpm

5）附帶SpinCalculator軟件

• 概要

本產(chǎn)品是實驗用的?？梢暂p松地對MAX200mm的基板進行噴涂。

液晶用光刻膠的開發(fā)、LCD面板的試制、彩色濾色片的試制等都很方便。

• 特點

1）從低粘度到高粘度：1cps~5000cps

2）膜厚精度：±10%以下（DRY）

3）簡單的噴嘴更換構(gòu)造

4）短時間再吐液：噴嘴更換后到噴出液體只需10分鐘（是以前的1/10）

• 構(gòu)成

1）由載臺、PRE點膠機、刀沿噴嘴、光刻膠泵構(gòu)成。

• 概要

本產(chǎn)品是實驗用的?？梢暂p松地對MAX200mm的基板進行噴涂。

液晶用光刻膠的開發(fā)、LCD面板的試制、彩色濾色片的試制等都很方便。

• 特點

1）從低粘度到高粘度：1cps~5000cps

2）膜厚精度：±10%以下（DRY）

3）簡單的噴嘴更換構(gòu)造

4）短時間再吐液：噴嘴更換后到噴出液體只需10分鐘（是以前的1/10）

• 構(gòu)成

1）由載臺、PRE點膠機、刀沿噴嘴、光刻膠泵構(gòu)成。

• 概要

可以對應(yīng)直徑最大為φ4英寸的Si晶圓的手動烘烤設(shè)備。

• 特點

1）支持基板尺寸最大φ4英寸的Si晶圓。

2）接近烘烤方式（間隙100μm固定）

• 式樣

1.基板尺寸：MAXφ100mmSi晶圓（支持4英寸）

2.溫度設(shè)定：50~150℃

3.溫度穩(wěn)定性：相對于設(shè)定溫度監(jiān)視器顯示溫度在±1.0℃以內(nèi)

4.時間設(shè)定：可通過計時器設(shè)定

5.基板升降功能：按下開始按鈕，銷釘會自動下降，開始烘烤。經(jīng)過設(shè)定時間后，銷釘會自動上升，結(jié)束烘烤，并發(fā)出警報。

6.烘烤板：φ110mm的烘烤板1個，接近烘烤方式（間隙100μm固定）

7.烘烤部可選擇追加安全蓋。

• 概要

可以對應(yīng)直徑最大為φ6英寸的Si晶圓的Manual Bake裝置。

• 特點

1）支持基板尺寸最大φ6英寸的Si晶圓。

2）接近烘烤方式（間隙100μm固定）

• 式樣

1.基板尺寸：MAXφ150mmSi晶圓（支持4、6英寸）

2.溫度設(shè)定：50~150℃

3.溫度穩(wěn)定性：相對于設(shè)定溫度監(jiān)視器顯示溫度在±1.0℃以內(nèi)

4.時間設(shè)定：可通過計時器設(shè)定

5.基板升降功能：按下開始按鈕，銷釘會自動下降，開始烘烤。經(jīng)過設(shè)定時間后，銷釘會自動上升，結(jié)束烘 烤，并發(fā)出警報。

6.烘烤板：φ160mm的烘烤板1個，接近烘烤方式（間隙100μm固定）

7.烘烤部可選擇追加安全蓋。

• 概要

可以對應(yīng)直徑最大為φ8英寸的Si晶圓的手動烘烤裝置。

• 特點

1）支持基板尺寸最大φ8英寸的Si晶圓。

2）接近烘烤方式（間隙100μm固定）

• 式樣

1.基板尺寸：MAXφ200mmSi晶圓（支持4、6、8英寸）

2.溫度設(shè)定：50~150℃

3.溫度穩(wěn)定性：相對于設(shè)定溫度監(jiān)視器顯示溫度在±1.0℃以內(nèi)

4.時間設(shè)定：可通過計時器設(shè)定

5.基板升降功能：按下開始按鈕，銷釘會自動下降，開始烘烤。經(jīng)過設(shè)定時間后，銷釘會自動上升，結(jié)束烘烤，并發(fā)出報。

6.烘烤板：φ220mm的烘烤板1個，接近烘烤方式（間隙100μm固定）

7.烘烤部可選擇追加安全蓋。

• 膜厚儀
• 規(guī)格

測量膜厚度：10nm～50μm（分辨率1nm）

分光器：AvaSpec-ULS 2048CL-EVO-UA-50（200-100nm分辨率2.5nm）

軟件：AvaSoft-ALL

測量位置：1mmΦ

光源：AvaLight-DHc（重氫鹵素?zé)簦?/p>

• 概要

支持直徑最大為φ6英寸Si晶圓的手動冷卻裝置。

對烘干后晶圓的冷卻很方便。

特別是PEB時，為了停止反應(yīng)，需要在烘干后迅速冷卻。

• 特點

1）基板尺寸最大φ6英寸晶圓。

2）接近式冷卻方式。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圓（4、6英寸）

2）溫度設(shè)定：15~30℃（由溫控器設(shè)定）

3）冷卻板：170x170mm

• 概要

用于吸附掩膜板和晶圓進行接觸曝光的微細加工用曝光設(shè)備。

• 特點

1）4英寸Si基板和4英寸掩膜板的接觸曝光。

2）掩膜板通過真空吸附維持的。

3）真空吸附時的真空度由真空計顯示。

• 式樣

1）光源：200W Xe水銀燈管 EXCURE4000（Hoya製）

2）曝光波長：254、365、436nm（帶通濾波器使用）

3）照射區(qū)域：150x150mm

4）測量位置：150mm□內(nèi)中心及距離中心70mm的4處共計共5處位置。

5）擁有曝光累計功能

• 概要

納米級壓印用簡易壓床設(shè)備。

雖然是簡易沖壓設(shè)備，但是由于使用了電動汽缸，所以不需要空氣源。

• 式樣

1）壓床能力：800N

2）晶圓尺寸：6英寸Si基板

3）壓床范圍：晶圓中心25mm2

4）UV燈移動單元：行程Max 50mm

5）壓床部平行機構(gòu)：基本行程35mm（Max 50mm）

6）UV-LED光源：標準10mW/cm2

7）安全聯(lián)鎖：有

8）設(shè)備操作由觸摸屏進行。有完全手動操作和半自動動作兩種。

• 概要

可置于桌上的旋轉(zhuǎn)?顯影光刻膠的設(shè)備。

• 特點

1）搭載了可對應(yīng)φ150mm基板的旋轉(zhuǎn)、顯影、模塊。節(jié)省空間進行顯影操作。

2）顯影噴嘴為扇形噴霧式。

3）顯影方式是paddle式的。

4）顯影液的溫調(diào)功能是可選性的。

5）旋轉(zhuǎn)程序可保存32位，10個程序。最適合制作多品種樣品。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ150mm Si晶圓（4、6英寸）

2）搭載載臺：旋轉(zhuǎn)顯影杯

3）由旋轉(zhuǎn)顯影部、排水系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)構(gòu)成。

• 概要

旋轉(zhuǎn)蝕刻基板的設(shè)備

• 特點

1）搭載了φ150mm基板用的旋轉(zhuǎn)蝕刻模塊?？晒?jié)省空間進行顯影。

2）蝕刻液噴嘴：扇形噴霧式

3）蝕刻方式：paddle式

4）蝕刻液的溫調(diào)功能：無（可追加）

5）旋轉(zhuǎn)程序可保存32位，10個程序。最適合制作多品種樣品。

• 式樣

1）基板尺寸：MAX φ150mm基板（4、6英寸）

2）搭載載臺：旋轉(zhuǎn)杯（樹脂制）

2）由旋轉(zhuǎn)蝕刻部、排水系統(tǒng)、排氣系統(tǒng)構(gòu)成。